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MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

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  • Artikelnummer
    MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Gb (32G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 333MHz
  • Uhrfrequenz
    333MHz

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29E1T08CMHBBJ4-3:B

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

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Beschreibung: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ

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