MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT29E256G08CECBBH6-6:B TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NAND
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Andere Namen

MT29E256G08CECBBH6-6:B TR-ND
MT29E256G08CECBBH6-6:BTR
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

256Gb (32G x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 167MHz
Uhrfrequenz

167MHz

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Das Folgende sind "MT29E256G08CECBBH6-6:B TR" -Einziper.

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

Beschreibung: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

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