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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

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  • Artikelnummer
    MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Tb (512G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz
  • Uhrfrequenz
    333MHz

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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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