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MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F

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    MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F
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  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E

MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D TR

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

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Beschreibung:

Hersteller: Micron Technology Inc.
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MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E

MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABAFAM78A3WC1

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL WAFER

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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MT29F1G08ABBDAH4:D

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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MT29F1G08ABAEAWP:E

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Beschreibung:

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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