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1697981MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F-Bild.Micron Technology

MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1G PARALLEL TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 48-TSOP
MT29F1G08ABBDAH4:D TR

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABBDAH4-IT:D

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F

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Beschreibung:

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MT29F1G08ABAFAM78A3WC1

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL WAFER

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABAEAWP:E TR

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABBDAH4-ITX:D

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

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Beschreibung:

Hersteller: Micron Technology Inc.
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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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MT29F1G08ABBDAH4:D

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

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MT29F1G08ABAEAWP:E

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