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MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 4G SPI TBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR-ND
    MT29F4G01ABBFD12-ITES:FTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (4G x 1)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (4G x 1) SPI

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

Hersteller: Micron Technology
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MT29F4G08AACHC:C

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI SOIC

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 8UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI SOIC

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