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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

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    MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
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    vorrätig
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  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (4G x 1)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status
    Lead free
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (4G x 1) SPI
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR

MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR

Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

Hersteller: Micron Technology
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MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR

MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR

Beschreibung: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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MT29F4G01ABBFD12-ITES:F

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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MT29F4G01AAADDHC:D

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI SOIC

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI TBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI UPDFN

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Beschreibung: IC FLASH 4G SPI SOIC

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