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MT29F4G16ABAEAWP:E TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29F4G16ABAEAWP:E TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Andere Namen
    MT29F4G16ABAEAWP:E TR-ND
    MT29F4G16ABAEAWP:ETR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (256M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 48-TSOP
  • Basisteilenummer
    MT29F4G16

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

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