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MT29F512G08CKCABH7-6R:A

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  • Artikelnummer
    MT29F512G08CKCABH7-6R:A
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512Gb (64G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 166MHz
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Basisteilenummer
    MT29F512G08

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Beschreibung: MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

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Beschreibung: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

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