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MT40A1G8SA-075:E

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  • Artikelnummer
    MT40A1G8SA-075:E
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR4
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (1G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.33GHz
  • Uhrfrequenz
    1.33GHz
MT40A1G4RH-075E:B TR

MT40A1G4RH-075E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT40A1G8SA-075:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A1G8WE-075E IT:B

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A1G8SA-062E:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

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MT40A1G8WE-075E IT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8PM-083E:A

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A1G8SA-062E IT:E

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

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MT40A1G8WE-075E:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A1G8SA-062E IT:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8SA-062E:E

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A1G4RH-083E:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G4HX-093E:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8WE-075E:D

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A1G4RH-075E:B

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A1G8SA-075:H

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