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MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

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  • Artikelnummer
    MT40A256M16GE-083E AUT:B TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT40A256M16GE-083E AUT:B TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR4
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT40A256M16GE-083E AUT:B TR-ND
    MT40A256M16GE-083EAUT:BTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (256M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz
  • Uhrfrequenz
    1.2GHz

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT40A256M16GE-083E:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT40A2G4SA-062E:E

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A2G4PM-083E:A

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A2G4SA-075:E

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

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Beschreibung: DDR4 4G DIE 256MX16

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MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

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