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MT40A2G4PM-083E:A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT40A2G4PM-083E:A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR4
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (9x13.2)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (2G x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (9x13.2)
  • Uhrfrequenz
    1.2GHz
MT40A256M16GE-083E:B

MT40A256M16GE-083E:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

Beschreibung: DDR4 4G DIE 256MX16

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A2G4SA-062E:E

MT40A2G4SA-062E:E

Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A2G4WE-075E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A256M16GE-075E:B

MT40A256M16GE-075E:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A2G4WE-075E:B

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A256M16GE-083E AAT:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A2G4SA-075:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A2G4TRF-083E:A

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A2G4SA-075:E

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A256M16GE-083E AUT:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A2G4SA-062E:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT40A2G4WE-075E:D

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Beschreibung: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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