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MT41J256M16HA-125:E

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  • Artikelnummer
    MT41J256M16HA-125:E
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT41J256M16HA-125:E.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-FBGA (9x14)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (256M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (9x14)
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Basisteilenummer
    MT41J256M16
  • Zugriffszeit
    13.75ns

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J256M8DA-093:K

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J128M8JP-15E:G

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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MT41J256M16RE-15E IT:D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT41J1G4THD-15E:D

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