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107072MT41J128M8JP-15E:G-Bild.Micron Technology

MT41J128M8JP-15E:G

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  • Artikelnummer
    MT41J128M8JP-15E:G
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT41J128M8JP-15E:G.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (8x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 667MHz 78-FBGA (8x11.5)
  • Uhrfrequenz
    667MHz
  • Basisteilenummer
    MT41J128M8

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J1G4THD-15E:D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J256M16HA-093:E

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC SDRAM DDR3 8GB

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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