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MT41J256M8DA-125:K

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  • Artikelnummer
    MT41J256M8DA-125:K
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT41J256M8DA-125:K.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (8x10.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Basisteilenummer
    MT41J256M8
  • Zugriffszeit
    13.75ns

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Hersteller: Micron Technology
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MT41J256M4JP-125:G

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J256M8HX-15E:D

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J256M8HX-15E AIT:D

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41J256M8DA-093:K TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

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