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MT41J256M8JE-15E:A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT41J256M8JE-15E:A
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    82-FBGA (12.5x15.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    82-FBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 667MHz 13.5ns 82-FBGA (12.5x15.5)
  • Uhrfrequenz
    667MHz
  • Basisteilenummer
    MT41J256M8
  • Zugriffszeit
    13.5ns
MT41J512M8RA-15E IT:D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT41J256M8HX-15E:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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MT41J512M4HX-125:D

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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MT41J512M4HX-187E:D

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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MT41J256M8HX-125:D

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MT41J256M8HX-15E IT:D TR

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MT41J512M4HX-15E:D

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MT41J256M8JE-187E:A

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MT41J512M8RH-093:E TR

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MT41J256M8DA-125:K

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MT41J256M8HX-15E IT:D

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MT41J512M8THD-15E:D

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MT41J512M8RH-107:E

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MT41J256M8HX-15E:D

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MT41J256M8HX-187E:D

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MT41J256M8HX-15E AAT:D

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MT41J256M8DA-125:K TR

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MT41J512M8RH-093:E

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MT41J512M4JE-15E:A

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MT41J256M8HX-15E AIT:D

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