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MT41K256M16TW-125:P

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT41K256M16TW-125:P
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT41K256M16TW-125:P.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (256M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Zugriffszeit
    20ns

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MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M4DA-107:J

MT41K256M4DA-107:J

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

Beschreibung: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P TR

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Beschreibung: MEMORY DRAM

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16V90BWC1

MT41K256M16V90BWC1

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M8DA-107 AAT:K

MT41K256M8DA-107 AAT:K

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M16V00HWC1-N001

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Beschreibung: DDR3 4G DIE 256MX16

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M4JP-125:G

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M4JP-15E:G TR

MT41K256M4JP-15E:G TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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MT41K256M16TW-107:P

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M4DA-107:J TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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