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MT41K256M4JP-15E:G TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT41K256M4JP-15E:G TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.MT41K256M4JP-15E:G TR.pdf
    2.MT41K256M4JP-15E:G TR.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (8x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Andere Namen
    MT41K256M4JP-15E:G TR-ND
    MT41K256M4JP-15E:GTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (256M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 667MHz 13.5ns 78-FBGA (8x11.5)
  • Uhrfrequenz
    667MHz
  • Basisteilenummer
    MT41K256M4
  • Zugriffszeit
    13.5ns

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MT41K256M8DA-125 AIT:K

MT41K256M8DA-125 AIT:K

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M8DA-107 IT:K TR

MT41K256M8DA-107 IT:K TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M8DA-107:K

MT41K256M8DA-107:K

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M4JP-125:G

MT41K256M4JP-125:G

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M8DA-125 AUT:K

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16V90BWC1

MT41K256M16V90BWC1

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR

MT41K256M8DA-125 AIT:K TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

Beschreibung: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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MT41K256M8DA-107 AAT:K

MT41K256M8DA-107 AAT:K

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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MT41K256M8DA-107:K TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M8DA-125 AAT:K

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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MT41K256M4JP-15E:G

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M4DA-107:J TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M8DA-107 IT:K

MT41K256M8DA-107 IT:K

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M16V00HWC1-N001

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Beschreibung: DDR3 4G DIE 256MX16

Hersteller: Micron Technology
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MT41K256M4DA-107:J

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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