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5490952MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR-Bild.Micron Technology

MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (9x10.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Andere Namen
    MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR-ND
    MT41K512M8RH-125MAIT:ETR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Uhrfrequenz
    800MHz
  • Zugriffszeit
    13.75ns

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MT41K512M8RH-125 M AIT:E

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MT41K512M8RH-125 XIT:E

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MT41K512M8RH-107 IT:E

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MT41K512M8RH-125 AAT:E TR

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