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MT41K512M8THD-15E:D

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  • Artikelnummer
    MT41K512M8THD-15E:D
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT41K512M8THD-15E:D.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    78-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    78-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 667MHz 13.5ns 78-FBGA (9x11.5)
  • Uhrfrequenz
    667MHz
  • Basisteilenummer
    MT41K512M8
  • Zugriffszeit
    13.5ns

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K64M16JT-15E:G

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 V:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8V00HWC1-N002

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 M AIT:E

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8V00HWC1-N001

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 M:E

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Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8V80AWC1

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

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MT41K512M8V90BWC1

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MT41K64M16JT-125:G

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MT41K512M8RH-125 XIT:E

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