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MT41K512M8V80AWC1

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  • Artikelnummer
    MT41K512M8V80AWC1
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125:E

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 XIT:E

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8V00HWC1

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

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MT41K512M8V00HWC1-N002

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K64M16TW-107 AIT:J

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K64M16JT-15E:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M8V00HWC1-N001

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
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MT41K512M8THD-15E:D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M8RH-125 V:E

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K64M16TW-107 AUT:J

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ

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MT41K64M16TW-107 AAT:J

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M8V90BWC1

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