MT44K32M18RB-125E IT:A TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT44K32M18RB-125E IT:A TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT44K32M18RB-125E IT:A TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.28 V ~ 1.42 V
Technologie

DRAM
Supplier Device-Gehäuse

168-BGA
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

168-TBGA
Andere Namen

MT44K32M18RB-125E IT:A TR-ND
MT44K32M18RB-125EIT:ATR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

576Mb (32M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 800MHz 10ns 168-BGA
Uhrfrequenz

800MHz
Basisteilenummer

MT44K32M18
Zugriffszeit

10ns

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Das Folgende sind "MT44K32M18RB-125E IT:A TR" -Einziper.

MT44K32M18RB-107:A TR

Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Hersteller: Micron Technology

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MT44K32M18RB-125E IT:A TR

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