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MT44K64M18RB-083F:A

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  • Artikelnummer
    MT44K64M18RB-083F:A
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT44K64M18RB-083F:A.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.28 V ~ 1.42 V
  • Technologie
    DRAM
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1.125Gb (64Mb x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 6.67ns
  • Uhrfrequenz
    1200MHz
  • Zugriffszeit
    6.67ns

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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

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Beschreibung: RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

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Beschreibung: IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG

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Beschreibung: IC RLDRAM 1.125GBIT TBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

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Beschreibung: IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA

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