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MT44K64M18RB-107E:A TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT44K64M18RB-107E:A TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT44K64M18RB-107E:A TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.28 V ~ 1.42 V
Technologie

DRAM
Supplier Device-Gehäuse

168-BGA
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

168-TBGA
Andere Namen

MT44K64M18RB-107E:A TR-ND
MT44K64M18RB-107E:ATR
Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1.125Gb (64Mb x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 933MHz 8ns 168-BGA
Uhrfrequenz

933MHz
Zugriffszeit

8ns

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Das Folgende sind "MT44K64M18RB-107E:A TR" -Einziper.

MT45V512KW16PEGA-55 WT TR

Beschreibung: IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT44K64M18RB-107E:A TR

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