MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT45W4MW16BFB-706 L WT TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

MT45W4MW16BFB-706 L WT TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

70ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)
Supplier Device-Gehäuse

54-VFBGA (6x9)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-VFBGA
Andere Namen

MT45W4MW16BFB-706 L WT TR-ND
MT45W4MW16BFB-706LWTTR
Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

64Mb (4M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

PSRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 70ns 54-VFBGA (6x9)
Basisteilenummer

MT45W4MW16
Zugriffszeit

70ns

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Das Folgende sind "MT45W4MW16BFB-706 L WT TR" -Einziper.

MT45W4MW16BFB-706 WT

Beschreibung: IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

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