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MT46H128M32L2MC-6 IT:A

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Spezifikation

Artikelnummer

MT46H128M32L2MC-6 IT:A
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT46H128M32L2MC-6 IT:A.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse

240-WFBGA (14x14)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

240-WFBGA
Andere Namen

MT46H128M32L2MC-6 IT:A-ND
MT46H128M32L2MC-6IT:A
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4Gb (128M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 240-WFBGA (14x14)
Uhrfrequenz

166MHz
Basisteilenummer

MT46H128M32
Zugriffszeit

5.0ns

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MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H16M16LFBF-5:H TR

MT46H16M16LFBF-5:H TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H16M16LFBF-5 IT:H

MT46H16M16LFBF-5 IT:H

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H128M32L2MC-6 WT:B

MT46H128M32L2MC-6 WT:B

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT46H16M16LFBF-5:H

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT46H16M16LFBF-6 IT:A

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT46H128M32L2MC-5 IT:A

MT46H128M32L2MC-5 IT:A

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MT46H16M16LFBF-6 AT:H

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