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54051MT46H16M16LFBF-6 AT:H-Bild.Micron Technology

MT46H16M16LFBF-6 AT:H

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  • Artikelnummer
    MT46H16M16LFBF-6 AT:H
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-VFBGA
  • Andere Namen
    MT46H16M16LFBF-6 AT:H-ND
    MT46H16M16LFBF-6AT:H
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.0ns 60-VFBGA (8x9)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Basisteilenummer
    MT46H16M16
  • Zugriffszeit
    5.0ns
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46H16M16LFBF-6:H

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H128M32L2MC-5 WT:B

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46H16M16LFBF-6:H TR

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MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

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MT46H128M32L2MC-6 IT:A

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MT46H16M16LFBF-6 IT:H

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MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

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MT46H16M16LFBF-6:A TR

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MT46H16M32LFB5-5 IT:C

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H16M16LFBF-5:H

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MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

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MT46H16M16LFBF-75:A

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MT46H16M16LFBF-5 IT:H

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