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1204018MT46V64M4P-5B:M-Bild.Micron Technology

MT46V64M4P-5B:M

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  • Artikelnummer
    MT46V64M4P-5B:M
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT46V64M4
  • Zugriffszeit
    700ps
MT46V64M4P-5B:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT46V64M4TG-6T:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M4P-6T:GTR

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MT46V64M4P-5B:K

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M4FG-75:G

MT46V64M4FG-75:G

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M4TG-75:G

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M8BN-5B:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M4P-6T:K

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MT46V64M4TG-5B:G TR

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MT46V64M4BG-6:GTR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M4FG-5B:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M8BN-5B:F

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MT46V64M8BN-5B:D

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MT46V64M4P-5B:G

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M4FG-75E:G TR

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