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246308MT46V64M8BN-5B:F TR-Bild.Micron Technology

MT46V64M8BN-5B:F TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT46V64M8BN-5B:F TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Andere Namen
    557-1174-2
    MT46V64M8BN-5B:F TR-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT46V64M8
  • Zugriffszeit
    700ps
MT46V64M4TG-75:G

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology
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MT46V64M8BN-5B:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT46V64M4TG-6T:G TR

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MT46V64M4P-6T:GTR

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MT46V64M8BN-6:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M8BN-5B:D

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MT46V64M4TG-75:G TR

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MT46V64M8BN-6:F TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M4P-5B:M

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MT46V64M8BN-6 IT:F

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MT46V64M8BN-6 IT:F TR

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MT46V64M8BN-6 L:F TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M8BN-6:F

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MT46V64M8BN-75 IT:D

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M4P-6T:K

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M8BN-75 IT:D TR

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MT46V64M8BN-5B:F

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MT46V64M8BN-6:D

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MT46V64M4TG-5B:G TR

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