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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT47H128M16RT-187E:C

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1842921

MT47H128M16RT-187E:C

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Spezifikation

Artikelnummer

MT47H128M16RT-187E:C
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT47H128M16RT-187E:C.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse

84-FBGA (9x12.5)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

84-TFBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 533MHz 350ps 84-FBGA (9x12.5)
Uhrfrequenz

533MHz
Basisteilenummer

MT47H128M16
Zugriffszeit

350ps

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MT46V8M16TG-75:D

MT46V8M16TG-75:D

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V8M16TG-75:D TR

MT46V8M16TG-75:D TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-25E XIT:C

MT47H128M16RT-25E XIT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V8M16P-75:D TR

MT46V8M16P-75:D TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16PK-25E IT:C

MT47H128M16PK-25E IT:C

Beschreibung: IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

MT47H128M16RT-25E AAT:C

MT47H128M16RT-25E AAT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-25E AIT:C

MT47H128M16RT-25E AIT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V8M16TG-6T IT:D TR

MT46V8M16TG-6T IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-187E:C TR

MT47H128M16RT-187E:C TR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V8M16P-75:D

MT46V8M16P-75:D

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V8M16TG-6T L:D TR

MT46V8M16TG-6T L:D TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT46V8M16TG-6T:D TR

MT46V8M16TG-6T:D TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

Hersteller: Micron Technology

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MT47H128M16PK-25E IT:C

MT47H128M16PK-25E IT:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H128M16PK-25E IT:CTR

MT47H128M16PK-25E IT:CTR

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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