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4948467MT47H128M4CB-5E:B-Bild.Micron Technology

MT47H128M4CB-5E:B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H128M4CB-5E:B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-FBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (128M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H128M4
  • Zugriffszeit
    600ps
MT47H128M4CB-3:B

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M8B7-37E L:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

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MT47H128M8B7-37E L:A

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

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MT47H128M4BT-37E:A TR

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MT47H128M4CB-5E:B TR

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MT47H128M8B7-37E:A TR

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MT47H128M4B6-3:D TR

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MT47H128M8B7-37E:A

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MT47H128M4CB-3:B TR

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MT47H128M4SH-25E:H

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MT47H128M16RT-3:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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MT47H128M4CF-25E:G

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MT47H128M4CF-187E:G

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MT47H128M4CB-37E:B

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MT47H128M16RT-25E:C TR

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MT47H128M4B6-25:D TR

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