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MT47H128M8SH-187E:M TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H128M8SH-187E:M TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Andere Namen
    MT47H128M8SH-187E:M TR-ND
    MT47H128M8SH-187E:MTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 533MHz 350ps 60-FBGA (8x10)
  • Uhrfrequenz
    533MHz
  • Zugriffszeit
    350ps
MT47H128M8HQ-3 IT:G

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M8HQ-3:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H16M16BG-5E:B

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E AIT:M

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E:M

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MT47H128M8SH-187E:M

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MT47H16M16BG-3:B TR

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MT47H16M16BG-3E:B

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MT47H128M8JN-3:H

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M8HQ-3 L:G

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MT47H128M8JN-25E:H

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MT47H128M8SH-25E AAT:M

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H16M16BG-3 IT:B TR

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MT47H128M8HQ-3 L:G TR

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MT47H128M8JN-3 IT:H

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MT47H128M8SH-25E IT:M

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MT47H16M16BG-37V:B

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MT47H128M8HQ-3:E TR

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