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573073MT47H16M16BG-5E:B-Bild.Micron Technology

MT47H16M16BG-5E:B

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  • Artikelnummer
    MT47H16M16BG-5E:B
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT47H16M16BG-5E:B.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-FBGA (8x14)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    84-FBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 600ps 84-FBGA (8x14)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H16M16
  • Zugriffszeit
    600ps

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Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E AAT:M

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H16M16BG-5E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H1G4WTR-25E:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H16M16BG-37E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M4B7-5E:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H16M16BG-3 IT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H128M8SH-25E:M

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MT47H256M4BT-3:A

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MT47H128M8SH-25E IT:M

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MT47H16M16BG-37V:B

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MT47H128M8SH-187E:M TR

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MT47H128M8SH-25E AIT:M

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