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3303792MT47H32M16BN-5E:D TR-Bild.Micron Technology

MT47H32M16BN-5E:D TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H32M16BN-5E:D TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    84-TFBGA
  • Andere Namen
    557-1214-1
    MT47H32M16BN5EDTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 600ps 84-FBGA (10x12.5)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H32M16
  • Zugriffszeit
    600ps
MT47H32M16CC-37E L:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16CC-37E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16BN-25:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16CC-3:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16BT-37E:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

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MT47H32M16BN-3 IT:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H256M8THN-3:H

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H32M16CC-37E L:B

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MT47H32M16BN-25E IT:D TR

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MT47H32M16BN-3:D TR

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MT47H32M16CC-3:B

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MT47H32M16BN-37E IT:D TR

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MT47H256M8THN-3:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H32M16BN-25E:D TR

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MT47H32M16BT-3:A TR

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