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3743377MT47H32M16BN-25E IT:D TR-Bild.Micron Technology

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

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  • Artikelnummer
    MT47H32M16BN-25E IT:D TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    84-TFBGA
  • Andere Namen
    MT47H32M16BN-25E IT:D TR-ND
    MT47H32M16BN-25EIT:DTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (10x12.5)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H32M16
  • Zugriffszeit
    400ps
MT47H256M8THN-25E IT:H

MT47H256M8THN-25E IT:H

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H256M8THN-25E:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H32M16BN-5E IT:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M8THN-25E:M TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M8EB-3:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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MT47H32M16BN-37E:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H256M8THN-25E:M

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MT47H32M16BT-37E:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

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MT47H32M16BN-5E:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H256M8THN-3 IT:H

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H32M16CC-37E IT:B

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