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MT47H32M16CC-5E IT:B-Bild.

Micron Technology

MT47H32M16CC-5E IT:B

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Spezifikation

Artikelnummer

MT47H32M16CC-5E IT:B
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT47H32M16CC-5E IT:B.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse

84-FBGA (12x12.5)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

84-TFBGA
Andere Namen

MT47H32M16CC-5E IT:B-ND
MT47H32M16CC-5EIT:B
Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 600ps 84-FBGA (12x12.5)
Uhrfrequenz

200MHz
Basisteilenummer

MT47H32M16
Zugriffszeit

600ps

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H32M16CC-3:B TR

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Hersteller: Micron Technology

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MT47H32M16HR-187E:G

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MT47H32M16CC-3E:B TR

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Hersteller: Micron Technology

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MT47H32M16CC-37E L:B

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Hersteller: Micron Technology

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MT47H32M16HR-25E AAT:G

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MT47H32M16CC-3:B

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MT47H32M16HR-25E AIT:G

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