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5361318MT47H32M16HR-25E AAT:G-Bild.Micron Technology

MT47H32M16HR-25E AAT:G

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  • Artikelnummer
    MT47H32M16HR-25E AAT:G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    84-FBGA (8x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    84-TFBGA
  • Andere Namen
    MT47H32M16HR-25E AAT:G-ND
    MT47H32M16HR-25EAAT:G
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (8x12.5)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H32M16
  • Zugriffszeit
    400ps
MT47H32M16CC-5E L:B

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16CC-5E:B TR

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MT47H32M16HR-25E AAT:G TR

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MT47H32M16HR-3:F

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MT47H32M16CC-5E:B

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