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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT47H32M16NF-25E IT:H

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2842766

MT47H32M16NF-25E IT:H

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Spezifikation

Artikelnummer

MT47H32M16NF-25E IT:H
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT47H32M16NF-25E IT:H.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse

84-FBGA (8x12.5)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

84-TFBGA
Andere Namen

MT47H32M16NF-25E IT:H-ND
MT47H32M16NF-25EIT:H
Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (8x12.5)
Uhrfrequenz

400MHz
Basisteilenummer

MT47H32M16
Zugriffszeit

400ps

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Das Folgende sind "MT47H32M16NF-25E IT:H" -Einziper.

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16HW-25E AAT:G TR

MT47H32M16HW-25E AAT:G TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16U67A3WC1

MT47H32M16U67A3WC1

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16HW-25E IT:G

MT47H32M16HW-25E IT:G

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16HR-3:G TR

MT47H32M16HR-3:G TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16HW-25E:G

MT47H32M16HW-25E:G

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16NF-25E AIT:H

MT47H32M16NF-25E AIT:H

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16NF-25E AAT:H

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16NF-187E:H

MT47H32M16NF-187E:H

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16NF-25E AUT:H

MT47H32M16NF-25E AUT:H

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H32M16NF-187E:H TR

MT47H32M16NF-187E:H TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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