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MT47H32M16NF-25E AUT:H

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  • Artikelnummer
    MT47H32M16NF-25E AUT:H
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT47H32M16NF-25E AUT:H-ND
    MT47H32M16NF-25EAUT:H
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Zugriffszeit
    400ps
MT47H32M16NF-187E:H TR

MT47H32M16NF-187E:H TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16HW-25E IT:G

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16NF-25E:H

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Beschreibung:

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MT47H32M8BP-5E:B

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16HR-3:F

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16HW-25E:G

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MT47H32M16HR-3:G TR

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MT47H32M16HR-3:G

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MT47H32M8BP-5E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT47H32M16NF-25E AAT:H

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MT47H32M8BP-3:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT47H32M16NF-25E AIT:H

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16NF-187E:H

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M8BP-37V:B

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT47H32M16NF-25E IT:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16U67A3WC1

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

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MT47H32M16NF-25E IT:H

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MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

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MT47H32M16HW-25E AAT:G TR

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