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MT47H512M4EB-3:C

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H512M4EB-3:C
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT47H512M4EB-3:C.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (512M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Uhrfrequenz
    333MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H512M4
  • Zugriffszeit
    450ps

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H512M4THN-3:H

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M8BP-37E:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H512M4EB-25E:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H512M8WTR-25E:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H512M4THN-37E:E TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H512M4THN-25E:M TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16U67A3WC1

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Hersteller: Micron Technology
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MT47H512M4THN-25E:H

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H512M8WTR-3:C

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M8BP-5E:B

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT47H512M4THN-25E:M

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

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MT47H32M8BP-37V:B

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M16B7-37E:A

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H512M4EB-187E:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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