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MT47H512M4THN-25E:M

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  • Artikelnummer
    MT47H512M4THN-25E:M
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT47H512M4THN-25E:M.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (512M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Zugriffszeit
    400ps

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

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MT47H32M8BP-5E:B

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H512M8WTR-25E:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

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MT47H512M8WTR-3:C

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

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