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936086MT47H64M4BP-37E:B TR-Bild.Micron Technology

MT47H64M4BP-37E:B TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H64M4BP-37E:B TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (8x12)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-FBGA
  • Andere Namen
    557-1290-2
    MT47H64M4BP-37E:B TR-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (64M x 4)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (64M x 4) Parallel 267MHz 500ps 60-FBGA (8x12)
  • Uhrfrequenz
    267MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H64M4
  • Zugriffszeit
    500ps
MT47H64M8B6-37E IT:D TR

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M8B6-37E:D TR

MT47H64M8B6-37E:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M16U88BWC1

MT47H64M16U88BWC1

Beschreibung: DDR2 1G DIE 64MX16

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M8B6-25E:D TR

MT47H64M8B6-25E:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M8B6-3 IT:D TR

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M16NF-25E IT:M

MT47H64M16NF-25E IT:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M8B6-5E IT:D TR

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M8B6-25:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M16NF-25E AAT:M

MT47H64M16NF-25E AAT:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT47H64M16NF-25E:M

MT47H64M16NF-25E:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M16NF-25E AIT:M

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8B6-25E L:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M16NF-25E XIT:M

MT47H64M16NF-25E XIT:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8B6-25E IT:D TR

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M16NF-187E:M

MT47H64M16NF-187E:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8B6-3:D TR

MT47H64M8B6-3:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M16NF-25E AUT:M

MT47H64M16NF-25E AUT:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: Micron Technology
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