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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT47H64M8B6-25E L:D TR

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MT47H64M8B6-25E L:D TR-Bild.

Micron Technology

MT47H64M8B6-25E L:D TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT47H64M8B6-25E L:D TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MT47H64M8B6-25E L:D TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse

60-FBGA
Serie

-
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

60-FBGA
Andere Namen

557-1427-6
Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA
Uhrfrequenz

400MHz
Basisteilenummer

MT47H64M8
Zugriffszeit

400ps

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MT47H64M8CB-25:B

MT47H64M8CB-25:B

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M8B6-37E:D TR

MT47H64M8B6-37E:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M8B6-25E:D TR

MT47H64M8B6-25E:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M4BP-37E:B TR

MT47H64M4BP-37E:B TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M16NF-25E AUT:M

MT47H64M16NF-25E AUT:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M16NF-25E IT:M

MT47H64M16NF-25E IT:M

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M16U88BWC1

MT47H64M16U88BWC1

Beschreibung: DDR2 1G DIE 64MX16

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M8CB-25:B TR

MT47H64M8CB-25:B TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M8CB-37E IT:B

MT47H64M8CB-37E IT:B

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H64M8B6-3:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H64M8B6-25:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H64M8B6-5E:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H64M16NF-25E:M

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology

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MT47H64M16NF-25E XIT:M

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