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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT48H32M16LFB4-6 AAT:C
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-VFBGA (8x8)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-VFBGA
  • Andere Namen
    MT48H32M16LFB4-6 AAT:C-ND
    MT48H32M16LFB4-6AAT:C
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-VFBGA (8x8)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Basisteilenummer
    MT48H32M16
  • Zugriffszeit
    5ns
MT48H32M16LFB4-75B IT:C

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT48H16M32LFCM-6:B TR

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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR

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MT48H16M32LFCM-6 L IT:B

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MT48H32M16LFB4-75 IT:C

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MT48H16M32LFCM-75:B TR

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MT48H32M16LFB4-6 IT:C

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MT48H16M32LFCM-75:A TR

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MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR

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MT48H32M16LFB4-6 AT:C

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MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR

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MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR

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MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR

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MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR

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MT48H32M16LFBF-6:B

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