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MT49H64M9CBM-25E:B

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  • Artikelnummer
    MT49H64M9CBM-25E:B
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT49H64M9CBM-25E:B.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    DRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    144-µBGA (18.5x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    144-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    576Mb (64M x 9)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT49H64M9
  • Zugriffszeit
    15ns

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