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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

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  • Artikelnummer
    MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G 1600MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR-ND
    MT53B128M32D1NP-062AAT:ATR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
  • Uhrfrequenz
    1600MHz

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MT53B128M32D1Z00NEC2

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Beschreibung: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 WT:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 6G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1Z00NWC2

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Beschreibung: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Hersteller: Micron Technology
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MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

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Beschreibung: IC DRAM 6G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

Beschreibung: IC DRAM 64G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

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Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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