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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D
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MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 6G 1866MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D-ND
    MT53B1536M32D8QD-053WTES:D
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    6Gb (1.5G x 32)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status
    Lead free
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 6Gb (1.5G x 32) 1866MHz
  • Uhrfrequenz
    1866MHz
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR

MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR

Beschreibung: IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR

Beschreibung: LPDDR4 12G 192MX64 FBGA DDP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B192M32D1Z0AMWC1

MT53B192M32D1Z0AMWC1

Beschreibung: LPDDR4 6G DIE 192MX32

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A

MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A

Beschreibung: LPDDR4 12G 192MX64 FBGA DDP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B192M32D1Z9AMWC1

MT53B192M32D1Z9AMWC1

Beschreibung: LPDDR4 6G DIE 192MX32

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

Beschreibung: IC DRAM 6G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1Z00NWC2

MT53B128M32D1Z00NWC2

Beschreibung: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR

MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR

Beschreibung: IC SDRAM 6GBIT DIE

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR

MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR

Beschreibung: IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B128M32D1NP-062 WT:A

MT53B128M32D1NP-062 WT:A

Beschreibung: IC DRAM 4G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B128M32D1Z00NEC2

MT53B128M32D1Z00NEC2

Beschreibung: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D

MT53B1536M32D8QD-053 WT:D

Beschreibung: IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A

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Beschreibung: IC DRAM 6G 1600MHZ

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