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MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C-ND
    MT53B256M64D2NW-062WTES:C
  • Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Gb (256M x 64)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 1600MHz
  • Uhrfrequenz
    1600MHz
MT53B256M64D2TG-062 XT:C

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M64D2NV MS TR

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Beschreibung: IC SDRAM 16GBIT FBGA

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MT53B256M64D2NK-062 WT:C

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MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M64D2NL-062 XT:B

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M64D2PX-062 XT:C

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M64D2NV MS

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Beschreibung: LPDDR4 16G 1GX16 FBGA DDP

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