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MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

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  • Artikelnummer
    MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16G 1600MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.1V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR-ND
    MT53B512M32D2DS-062AIT:CTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Gb (512M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1600MHz
  • Uhrfrequenz
    1600MHz

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MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B4DCNQ-DC

MT53B4DCNQ-DC

Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B4DCNQ-DC TR

MT53B4DCNQ-DC TR

Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

Beschreibung: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B4DCNY-DC

MT53B4DCNY-DC

Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M16D1Z11MWC1

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Beschreibung: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B512M32D2DS-062 XT:C

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT53B512M16D1Z11NWC1

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Beschreibung: LPDDR4 8G DIE 512MX16

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MT53B512M32D2NP-053 WT:C

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

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