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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

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MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

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Spezifikation

Artikelnummer

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 16G 1600MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.1V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Andere Namen

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR-ND
MT53B512M32D2DS-062XT:CTR
Betriebstemperatur

-30°C ~ 105°C (TC)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

16Gb (512M x 32)
Speicherschnittstelle

-
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1600MHz
Uhrfrequenz

1600MHz

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MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M16D1Z11MWC1

MT53B512M16D1Z11MWC1

Beschreibung: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2DS-062 XT:C

MT53B512M32D2DS-062 XT:C

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M16D1Z11NWC1

MT53B512M16D1Z11NWC1

Beschreibung: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B4DCNY-DC

MT53B4DCNY-DC

Beschreibung: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

Beschreibung: LPDDR4 8G DIE 512MX16

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2NP-062 AAT:C

MT53B512M32D2NP-062 AAT:C

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Beschreibung: IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology

vorrätig

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

Beschreibung: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

Hersteller: Micron Technology

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